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台积电官宣6nm工艺 – 7nm加强版 也有极紫外光刻

这几年,曾经执行业牛耳的Intel在新工艺方面进展迟缓,14nm工艺迟迟无法规模量产,一个很关键的原因就是对技术指标要求高,投产难度大。而在另一方面,台积电、三星却是一路高歌猛进,除了技术方面的突破,还采取了更灵活的战术,降低新工艺技术难度,并且每次稍加改进就拿出一个新版本,让人目不暇接。

比如台积电的16nm是个重要节点,12nm则是在其基础上升级优化而来。三星就更乱了,除了14nm、10nm、7nm、5nm这些升级力度比较大的,还有11nm、8nm、6nm、4nm等一系列过渡版本。

近日,台积电宣布5nm EUV工艺已经开始试产,相比7nm可将核心面积缩小45%,性能则可提升15%,同时三星5nm EUV工艺已经设计完毕,相比7nm可将功耗降低20%,性能提高10%。

现在,台积电又正式宣布了6nm(N6)工艺,在已有7nm(N7)工艺的基础上大幅度增强,号称可提供极具竞争力的高性价比,而且能加速产品研发、量产、上市速度。

台积电7nm工艺有两个版本,第一代采用传统DUV光刻技术,第二代则是首次加入EUV极紫外光刻,已进入试产阶段,预计下一代苹果A、华为麒麟都会用。

新的6nm工艺也有EUV极紫外光刻技术,号称相比第一代7nm工艺可以将晶体管密度提升18%,同时设计规则完全兼容第一代7nm,便于升级迁移,降低成本。

台积电6nm预计2020年第一季度试产,适合中高端移动芯片、消费应用、AI、网络、5G、高性能计算等。

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